万亿美元市值的“存储三巨头”：涨价、垄断与扩产

发布时间：2026-07-18 02:17:39 来源：安智兰德资讯网 作者：热点

作者 | 硅基象限 张思

放眼全球，美元市值突破万亿美元的市值企业仅十余家，而存储领域的存断扩巨头便占据其三。

在过去12个月内，储巨产SK海力士与美光的头涨股价涨幅超过9倍，三星电子市值激增逾5倍。价垄这三大存储霸主，美元正以惊人的市值速度跻身“万亿美元市值俱乐部”。

具体数据来看：
* 美光：去年6月27日股价约124.7美元/股，存断扩今年6月28日飙升至1132美元，储巨产市值突破1.2万亿美元；
* SK海力士：去年6月29日股价约180美元，头涨今年6月26日涨至约1700美元，价垄总市值约1.38万亿美元；
* 三星电子：去年6月29日股价约40美元，美元今年6月27日升至约209美元，市值市值约1.4万亿美元。存断扩

这一现象背后的核心驱动力在于，三星、SK海力士和美光几乎垄断了全球90%以上的算力服务器存储市场。

随着三巨头的强势崛起，存储行业被贴上了三个鲜明标签：涨价、垄断、扩产。

01 三个月狂揽800亿美元

存储芯片涨价的序幕，于2025年上半年拉开。

去年4月，闪迪发出涨价函，宣布产品整体涨幅超10%，正式引爆存储芯片短缺与涨价潮。随后，三星、SK海力士、美光等大厂纷纷跟进，2025年下半年涨幅一度突破70%，市场呈现极度供不应求态势。

这一轮涨价直接推动了2025年头部存储厂商营收与利润的爆发式增长：

• 三星电子半导体（DS）业务：营收约308亿美元，营业利润约114亿美元；
• SK海力士：营收约681亿美元，净利润约300亿美元；
• 美光：营收373.78亿美元，净利润85.39亿美元。

利润率方面，2025年SK海力士利润率达48.5%，三星毛利率为39.4%，美光毛利率为39.8%。

进入2026年，增长势头更猛。一季度（1-3月），三家巨头营收近乎翻倍，利润增长约4倍，净利率与毛利率双双翻倍：

• 三星电子：DS业务营收530亿美元（同比+225%），营业利润350亿美元（同比+480%），营业利润率高达66%；
• SK海力士：营收约330亿美元（同比+198%），营业利润约240亿美元（同比+405.5%），营业利润率高达72.7%；
• 美光：2026财年第三季度（3-5月）营收414.6亿美元（同比+345.7%），净利润288.6亿美元（同比+1398.3%），毛利率达84.9%。

仅2026年一季度，三巨头便狂揽800亿美元，这一数字甚至超过了2025年全年的总和。

随着业绩飙升，2026年5月下旬，三家存储公司的市值相继突破万亿美元大关。目前全球市值超万亿的公司仅16家，其中科技公司占13家。除存储三巨头外，还包括市值超4万亿美元的英伟达，以及谷歌（Alphabet）、苹果、微软、亚马逊、台积电、SpaceX、博通、特斯拉和Meta等科技巨头。

值得一提的是，三星和SK海力士成为韩国唯二进入万亿美元市值俱乐部的企业。

支撑这一奇迹的关键技术支柱是：DRAM与NAND Flash。

02 "吸金王"：DRAM与NAND Flash

存储器主要分为两类：
1. 易失性存储：读写速度快，但断电后数据丢失；
2. 非易失性存储：断电后数据依然保留。

DRAM属于易失性存储器，NAND Flash属于非易失性存储器。

DRAM：算力服务器的核心瓶颈

DRAM技术路线涵盖HBM（高带宽内存）、DDR5/6、LPDDR5/5X/6、GDDR6/GDDR7等：
* DDR5/6：主要应用于台式机与服务器；
* LPDDR6/5/5X：用于智能手机、平板及车载系统；
* GDDR6/GDDR7：面向GPU的高速显存；
* HBM：专为算力服务器设计，技术壁垒最高。

HBM采用2.5D堆栈技术，通过TSV（硅通孔）将8层、12层甚至16层DRAM芯片垂直堆叠。目前最新技术为HBM3e/HBM4，单颗容量已超36GB。三星与美光目前主流采用12层堆叠（36GB容量），并正研发16层堆叠（48GB容量）的HBM4。

NAND Flash：海量数据的基石

NAND Flash即闪存，广泛应用于手机存储、U盘及服务器SSD。在AI算力场景下，技术已演进至PCIe 6.0 SSD。

NAND Flash依赖3D堆栈技术，将200层甚至300-400层芯片集成于单一芯片上，层数越高，技术难度越大。例如，SK海力士已采用321层cSSD，计划年底量产375层3D NAND Flash；三星则计划于2029年实现420层SSD。

市场格局与垄断争议

根据CFM闪存市场数据，2025年第四季度全球DRAM市场前三名为三星（37.1%）、SK海力士（33.1%）和美光（20.8%）。NAND Flash市场前五名为三星（27%）、SK海力士（22.1%）、铠侠（15%）、闪迪（12.8%）和美光（11.6%）。

高度集中的市场结构引发了反垄断担忧。外媒披露，6月29日，三星、SK海力士和美光遭遇美国联邦反垄断集体诉讼，指控其合谋限制传统DRAM供应、操纵价格，加剧内存短缺。

03 内卷、洗牌的五十年

存储三巨头如今的地位，历经了半个世纪的残酷洗牌。DRAM比NAND Flash早诞生20年，但发明这两种芯片的原始公司，如今均已退出存储主业。

• 1970年：英特尔推出首款DRAM（Intel 1103），容量仅1KB，一度占据80%以上市场份额。
• 1978年：帕金森兄弟在美国爱达荷州创立美光，1979年发布64Kb DRAM。
• 1980年：日本厂商（东芝、日立、富士通等）凭借高良品率与低价策略，抢占80%以上市场。英特尔因无力竞争，放弃DRAM业务，转型CPU。
• 1983年：韩国巨头入场。郑周永成立现代电子（SK海力士前身）；李秉喆宣布进军DRAM，发布64Kb DRAM。
• 1989年：东芝推出首款NAND Flash。1992年，三星获得东芝授权，推出首款NAND Flash器件。
• 2000年代初：行业重组。现代电子并购LG半导体后更名海力士；日本NEC与日立合并成立尔必达。2002年，三星闪存市场份额登顶。
• 2012年后：日本企业退场。尔必达因竞争失利及经济困境破产，被美光收购；东芝因巨额亏损剥离存储部门，2019年更名为铠侠。

当前，DRAM与NAND Flash由三星和海力士主导，但侧重点不同：
* 三星：优势在于智能手机、PC领域的DDR5/6、LPDDR5等消费级市场；
* SK海力士：因早期绑定英伟达，在HBM市场占据绝对优势。

算力竞争的下半场，核心在于产能扩张。6月29日，SK海力士宣布向韩国湖南/光州集群投入400万亿韩元，建设存储晶圆厂及HBM产线；三星公布未来10年约1000万亿韩元的投资计划；美光也在纽约州和爱达荷州规划全新晶圆厂。

然而，存储行业具有典型的周期性特征：产能不足时价格飙升，需求下滑时价格暴跌。这意味着，存储行业不存在“永远的牛市”，当前的狂飙终将面临周期的考验。

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