绕过EUV光刻、性能超英伟达A卡，全国产“软件定义近存计算3D芯片”发布

发布时间：2026-07-18 03:31:30 来源：安智兰德资讯网 作者：休闲

在全球半导体产业仍深陷先进制程与EUV光刻机瓶颈的绕过软件焦虑中，一款完全基于全国产供应链、光国产无需依赖EUV光刻机的刻性卡全AI芯片——DF1000，昨日在上海举行全球首发仪式。英伟这款被业界定义为“全球首颗软件定义近存计算3D芯片”的达A定义产品，其BF16算力高达520TFLOPS，近存计算性能表现直接超越英伟达A系列芯片，绕过软件标志着中国高端算力芯片在架构创新上取得了突破性进展。光国产

DF1000的刻性卡全性能跃升并非依赖尖端制程的堆砌，而是英伟源于架构创新与供应链国产化的双重驱动。东方算芯DF1000系列芯片确立了不依赖先进制程、达A定义供应链稳定可控且可持续自主迭代的近存计算技术路线，为我国高端算力芯片提供了一条可落地、绕过软件可规模化的光国产全新技术路径。

破解传统芯片“存储墙”困境

要理解DF1000的刻性卡全技术突破，需先审视传统2D芯片的核心痛点。传统架构如同“生产车间”与“远端仓库”分离：计算单元负责生产，存储单元负责仓储，两者之间仅靠狭窄的总线连接。在AI海量数据吞吐场景下，数据搬运速度远滞后于计算速度，导致大量算力闲置在等待数据的过程中，形成严重的性能瓶颈。

两大核心技术：软件定义与3D堆叠

东方算芯针对上述痛点提出了两大核心解法：

1. 软件定义芯片（Software-Defined Chip）
   通过外部控制码灵活调度计算任务，实现“写入不同软件即拥有不同功能”的动态重构。该技术源于东方算芯创始人魏少军自2006年起深耕的可重构计算研究。DF1000聚焦底层架构源头创新，通过软硬件解耦与动态重构，利用空间并行与时分复用技术，显著提升了硬件资源的利用率。

2. 3D近存计算堆叠（3D Near-Memory Computing）
   从物理架构上进行革新，DF1000采用“中间计算层+上下双存储层”的三层堆叠结构。借助3D混合键合技术，计算层与存储层垂直集成，互连间距压缩至亚微米级别，实现了互连密度与带宽密度的数量级提升。其访存带宽高达6.4TB/秒。这一设计的精妙之处在于，它成功绕开了对EUV光刻精度的依赖，利用相对成熟的制程工艺实现了高性能计算目标。

构建全栈自主生态，抢占万亿级市场

魏少军强调，算力产业的终极竞争是体系与生态的竞争。为此，东方算芯同步构建了全栈自主的底层软件栈，涵盖编译器、运行时、算子库、集合通信库、分布式训练框架及一站式工具链。该系统全面兼容主流深度学习框架，为用户提供简洁高效的模型迁移与部署方案。

据弗若斯特沙利文（Frost & Sullivan）预测，中国AI芯片市场规模将从2024年的1425.37亿元激增至2029年的13367.92亿元，年复合增长率高达53.7%。在这场万亿级赛道竞争中，东方算芯的“换道超车”不仅助推企业跻身独角兽行列，更为中国AI芯片产业提供了一条绕过EUV限制、实现自主可控的可行路径。目前，已有数十家企业沿此技术路线持续探索，一个蓬勃发展的产业生态正在形成。

原标题：《绕过EUV光刻、性能超英伟达A卡，全国产“软件定义近存计算3D芯片”发布》

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