【IC创新博览会】先进材料创新发展大会解码 AI 异质封装的“材料答案”

发布时间：2026-07-17 19:01:07 来源：安智兰德资讯网 作者：娱乐

时间：2026年9月9日-11日
地点：深圳国际会展中心（宝安）

2026国际集成电路创新博览会（IICIE）将于9月9日至11日在深圳国际会展中心（宝安）盛大开幕。材料答案本届博览会以“跨界融合・全链协同，创新共筑特色芯生态”为主题，博览致力于打造覆盖集成电路全产业链的先会解高端交流平台。

作为本次博览会的进材核心特色论坛之一，先进材料创新发展大会将紧扣“突破互连与散热极限——AI 异质整合封装之关键材料”这一主题。料创论坛聚焦 AI 算力爆发背景下，展大质封装异质整合封装面临的材料答案核心瓶颈，以关键材料创新为切入点，创新汇聚产学研各界力量，博览拆解技术难题，先会解共探产业趋势。进材旨在打通材料研发与封装应用的料创产业链壁垒，为突破 AI 封装的展大质封装互连密度与散热极限提供技术参考与合作桥梁。

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AI 算力狂飙，材料答案封装材料成瓶颈突破口

随着大模型与 AI 算力需求呈指数级增长，Chiplet 异质整合、3D 堆叠、HBM 高带宽内存等先进封装技术已成为延续摩尔定律的关键路径。然而，算力密度的快速攀升也带来了前所未有的挑战：

• 互连密度逼近物理极限
• 散热瓶颈制约性能释放
• 基板翘曲影响良率提升

这些难题的最终解决，往往指向同一个底层变量——材料创新。

在此背景下，先进材料创新发展大会应运而生。论坛旨在打通材料研发与封装应用的产业链壁垒，推动材料端创新与封装端需求的深度对接，为突破 AI 封装互连与散热极限提供坚实的技术支撑。

四大技术维度，直击 AI 封装核心命题

本次大会将围绕 AI 异质整合封装的关键材料需求，覆盖从底层材料到系统应用的全链条，重点解析以下四大技术维度：

1. 散热管理：突破热阻极限

面对 AI 芯片动辄数百瓦的功耗挑战，传统散热方案已捉襟见肘。论坛将聚焦：
* 新兴散热材料及 SiC 等超高热导材料的应用突破；
* 铜/金刚石混合键合技术对降低热阻的实际价值；
* 探索下一代热管理的材料路径。

2. 晶片堆叠：铜-铜互连的量产之路

在 3D 堆叠时代，铜-铜直接互连正成为高密度封装的关键技术。论坛将聚焦：
* 混合键合工艺的升级方向；
* 铜-铜直接互连在缩小间距、提升性能上的技术要点；
* 量产挑战及 Chiplet 架构落地的材料与工艺解决方案。

3. 玻璃基板：平整度与翘曲的博弈

作为先进封装的核心承载，玻璃基板凭借优异的电学性能与平整度优势备受关注。论坛将深入探讨：
* TGV（玻璃通孔）技术的核心优势解析；
* 大尺寸封装中的翘曲难题应对策略；
* 推动玻璃基板技术的规模化应用进程。

4. 共封装光学（CPO）：光电融合的材料协同

随着 AI 算力对带宽需求的激增，CPO 正从概念走向量产。论坛将聚焦：
* 破解光源热敏感性这一核心难题；
* 玻璃基板与混合键合技术在 CPO 架构中的协同创新路径；
* 为光电融合封装提供材料层面的系统思路。

产学研齐聚，共话材料创新产业机遇

本次大会邀请了来自科研院所、高校、国际分析机构及产业链上下游的重磅嘉宾，涵盖半导体材料、封装基板、光电集成等多个领域。

• 学术前沿：来自清华大学、深圳先进电子材料创新研究院的学者将带来最新研究成果。
• 产业实践：安集微电子、贺利氏、安德科铭等产业代表将分享一线实践经验。

从二维材料到量子计算的边界探索，从 HBM 底填胶技术到高层数 AI 服务器 PCB 板材挑战，从 CPO 光电整合的波导材料到 3D 堆叠的工艺升级，一天的议程将串联起基础研究、材料创新与产业应用的完整链条。

作为 2026 国际集成电路创新博览会的重要特色论坛，先进材料创新发展大会不仅是技术交流的平台，更是产业链协同的纽带。通过汇聚材料研发端与封装应用端的核心力量，论坛将推动上下游需求对接与技术合作，为突破 AI 封装的互连与散热极限注入材料创新的动力。

9月9日下午，深圳国际会展中心（宝安），先进材料创新发展大会邀您共赴一场材料与封装的深度对话，共同探索 AI 异质整合时代的材料创新之路。

参会详情

• 专题页面：IICIE国际集成电路创新博览会专题
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关于 IICIE 国际集成电路创新博览会

IICIE 国际集成电路创新博览会（简称“IC创新博览会”）以“跨界融合・全链协同，共筑特色芯生态”为主题，全面呈现芯片及芯片设计、晶圆制造、封装测试、核心设备、关键材料及核心零部件的全链条生态布局。

今年展会将与 CIOE 中国光博会、elexcon 深圳国际电子展同期同地举行，深度联动半导体制造、集成电路、光电、嵌入式电子等核心领域。三展总展示面积达 34万平方米，参展企业超 5000家。

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