英特尔推XBM新型内存技术，或成HBM4替代方案，2030年量产

发布时间：2026-07-17 12:03:11 来源：安智兰德资讯网 作者：热点

英特尔近期公开了一项名为 XBM（Cross-Batch Memory，英特跨批次内存）的尔推新型内存技术专利。该方案被业界视为 HBM4的新型内有力替代选择，旨在突破现有高带宽内存（HBM）在数据传输能力上的存技成H产瓶颈。近年来，术或HBM已成为人工智能加速器的替代主流标配，但随着供应链波动加剧、年量成本压力攀升以及对功耗控制的英特严苛要求，部分厂商开始重新评估 LPDDR方案，尔推试图在供应稳定性、新型内综合成本与能效比之间寻找更优平衡点。存技成H产

尽管LPDDR在能效比和单颗容量上表现优异，术或但其带宽上限已难以满足前沿AI计算日益增长的替代需求。此前，年量高通曾提出 HBC（Hybrid Bonding Computing）架构，英特通过将计算单元与高速内存深度融合，利用3D堆叠工艺实现性能跃升。该架构以2D有机基板连接系统级芯片（SoC），底层集成近内存加速模块，并借助硅通孔（TSV）向上堆叠LPDDR DRAM单元，在带宽、能效及扩展性方面展现出超越传统HBM的潜力。

今年年初，英特尔联合 力积电与软银旗下 SAIMEMORY共同启动了 Z-Angle Memory（ZAM）技术研发项目。目前ZAM技术尚处于探索阶段，未进入量产环节。相比之下，XBM被视为英特尔面向下一代高性能计算推出的全新HBM级内存解决方案，预计将于 2030年前后实现规模化商用。

XBM核心技术解析

根据技术说明，XBM采用 后段制程晶体管（BEOL）设计，其整体结构由封装基板、可选的基础逻辑芯片以及垂直堆叠的存储芯片组成。

• 架构创新：每层存储芯片均基于 1T1C（单晶体管单电容）DRAM单元构建，但晶体管被移至后端金属互连层。
• 性能优势：这一设计显著提升了芯片面积利用率与TSV密度，从而大幅增强带宽表现，相较于传统前端晶体管DRAM架构具有明显优势。

关键参数与封装优势

XBM引入了 Cross-Batch Memory（跨批次内存）互连机制，具备以下关键特性：

1. 高速接口：通过速率高达 32 GT/s的 UCIe I/O接口与处理器连接。
2. 成本竞争力：在保持与HBM4相同封装尺寸的前提下，制造成本更具竞争力。
3. 容量范围：单颗XBM芯片容量覆盖 0.5GB至5GB。
4. 封装灵活性：支持多种先进封装形式，包括 MoP（Memory-on-Package，封装上内存），可在紧凑型设备中实现更高带宽与更大容量的统一。

战略协同

综合技术定位、性能参数及商用节奏判断，XBM与ZAM在研发路径与战略目标上存在高度协同性。二者有望构成英特尔未来内存技术布局中的 互补体系，共同应对AI算力爆发带来的存储挑战。

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