内存Q3将环比上涨四至五成！业内专家预测震惊华尔街机构

发布时间：2026-07-17 08:51:18 来源：安智兰德资讯网 作者：知识

财联社6月30日讯（编辑 马兰）苹果与微软Xbox近期上调产品售价，内存深刻揭示了内存短缺引发的将街机消费电子供应链危机。行业专家向华尔街发出警告：今年剩余时间及2027年，环比华这一局面将进一步恶化。上涨

存储器行业顾问、至成专家震惊前三星中国高管Ethan Tan在接受杰富瑞（Jefferies）股票研究分析师采访时预测，业内预测2026年第三季度存储价格环比将上涨40%至50%，内存第四季度预计再涨30%至40%。将街机

Tan通过数据测算指出，环比华尽管半导体节点技术在2026年能带来7%至8%的上涨供应增量，但不足以缓解供需失衡，至成专家震惊短缺状况将延续至明年，业内预测届时价格年涨幅可能维持在40%至45%。内存

这一预测幅度远超西方投资者及杰富瑞内部研究团队的将街机预期。不过，环比华Tan也指出，随着供应量增加及人工智能需求放缓，内存价格有望在2028年回落15%至20%。

涨价背后的供需失衡

三星、SK海力士和美光三家巨头垄断了全球几乎全部的DRAM和NAND闪存市场。由于人工智能数据中心对存储芯片的利润率远高于消费类PC、智能手机或游戏机，资源向数据中心倾斜成为导致消费电子产品内存短缺的根本原因。

目前，数据中心需求已超出这三家公司的总产能，导致存储价格在四年内飙升700%。高昂的消费级内存成本迫使苹果、索尼和微软等巨头大幅提价。

中国厂商的技术瓶颈与突破

Tan强调，今明两年长鑫存储等中国企业的供应仍将受限，主要瓶颈在于缺乏生产下一代芯片所需的先进制造技术（如EUV光刻技术），这限制了中国厂商量产DDR6或HBM3E的能力。

但他同时指出，中国生产的DDR5内存已能满足消费级个人电脑的需求。预计到2028年，中国国产NAND闪存技术水平将与全球其他地区持平。

反垄断诉讼阴影

尽管制造商和行业分析师普遍将价格飙升归因于人工智能基础设施需求，但加州一项新诉讼指控主导DRAM和NAND生产的三大巨头（三星、SK海力士、美光）合谋利用市场状况人为抬高价格。

若此案推进，这将是近30年来至少第三起内存价格操纵丑闻：
* 1998年至2002年：三星、SK海力士、美光以及已倒闭的英飞凌和尔必达DRAM部门承认串谋操纵价格。
* 2010年末：三星、SK海力士和美光再次被怀疑操纵价格，但因证据不足在上诉中被驳回。

目前，加州诉讼能否提供充分证据尚不确定。

（财联社 马兰）

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