国内科技储能政策落地，全球AI存储、光互连、先进封装同步释放产业动态-安智兰德资讯网

国内科技储能政策落地，全球AI存储、光互连、先进封装同步释放产业动态

发布时间：2026-07-17 04:58:29 来源：安智兰德资讯网作者：百科

7月10日，国内光互国内产业政策与海外科技行业迎来多条重磅消息，科技标志着科技强国战略与全球半导体产业链调整进入新阶段。储能存储

在两院院士大会第二次全体会议上，政策装同丁薛祥明确指出，落地连先“十五五”时期是全球建设科技强国的关键攻坚期，必须全面落实科技部署，进封加速实现高水平科技自立自强。步释

同日，放产国务院正式印发《“十五五”碳达峰行动方案》，业动设定了清晰的国内光互量化目标：
* 新型储能：力争2030年装机规模达到 3亿千瓦。
* 虚拟电厂：调节能力需超过 5000万千瓦。科技
* 新能源汽车：保有量占比目标设定为 30%。储能存储

美光科技（Micron）宣布激进扩张计划，落地连先预计至2035年在美国本土总投资将超过 2500亿美元。其核心战略是将本土DRAM产能占比提升至 40%，以全力应对激增的AI存储需求。

在国内算力基础设施领域，华为联合20余家产业链伙伴正式启动 OPEN NPO项目。该项目落地了国内首个 NPO（近封装光学）近封装光学光互连多源协议（MSA），旨在统一高速光互连标准，推动算力网络的高效互联。

Meta（META.US）披露最新AI芯片进展，计划于9月量产自研 Iris AI芯片。随着明年算力翻倍至 14吉瓦，Meta已与三星、闪迪（SNDK.US）及住友电工签订长期供应链协议，确保产能稳定。

与此同时，半导体封装环节出现技术路线调整。三星与 SK海力士暂缓了 HBM4混合键合工艺的导入，短期内仍沿用传统热压键合技术。混合键合工艺预计最早应用于 16层 HBM4E产品。此次调整主要源于行业放宽了HBM厚度标准，以及高堆栈客户需求的延后。