AI引爆存储芯片超级周期

发布时间：2026-07-18 03:49:11 来源：安智兰德资讯网 作者：焦点

业内共识指出，引爆存储芯片长期被定义为强周期性产品，存储超级其价格波动主要受库存水平与市场需求周期的芯片双重影响。然而，周期本轮行情的引爆底层逻辑已发生根本性转变：AI基础设施建设的爆发式增长带来了长期且刚性的结构性需求。市场观点已从单纯的存储超级“周期性反弹”转向“结构性高景气”，认为全球存储芯片行业正步入一个前所未有的芯片“超级周期”。

核心数据与业绩爆发

据伦敦证券交易所集团旗下研究机构最新估算，周期作为全球最大内存芯片制造商，引爆三星电子预计将于本周二公布第二季度营业利润，存储超级高达86万亿韩元。芯片这一数据同比飙升约18倍，周期并连续第三个季度刷新历史纪录。引爆

涨价逻辑深度解析

利润暴涨的存储超级直接推手是存储芯片长达一年多的持续涨价态势，具体表现为：
* DRAM价格飙升：三星2026年第一季度DRAM平均售价环比涨幅超过90%。芯片
* 二季度预期强劲：预计第二季度DRAM价格将继续环比上涨50%-60%。

驱动力溯源：产能“虹吸效应”

针对本轮涨价的核心驱动力，国际数据机构IDC专家分析指出，其本质并非来自传统终端消费需求的爆发，而是源于AI芯片对存储产能的“虹吸效应”。随着AI算力需求的激增，大量存储产能被优先分配给高性能存储芯片（如HBM），导致通用存储芯片供给收紧，从而推高了整体市场价格。

（央视财经）

相关文章