发布时间:2026-07-17 06:48:37 来源:安智兰德资讯网 作者:热点
文 | 财华社,长鑫储巨作者 | 吴言
2026年,海力全球半导体战争的士星焦点已从CPU和GPU转移至看似低调的存储芯片。存储行业正经历前所未有的美光资本与产业双重洗牌:长鑫科技(688825.SH)作为国产DRAM唯一龙头,定于7月16日开启科创板申购,大存对比以百亿级募资蓄势突围;全球第二大存储厂商SK海力士(SKHY.US)加速冲刺美股上市,硬核开启新一轮全球资本扩张。长鑫储巨
DRAM(动态随机存取存储器)作为电子设备的“工作内存”,负责临时存储CPU处理数据。士星其高速、美光适中的大存对比特性使其与NAND闪存各司其职,成为半导体产业中规模最大的硬核单一品类。
在AI革命浪潮下,长鑫储巨DRAM的海力战略地位被彻底重塑。大模型推理需将全部参数加载至内存,士星并为上下文窗口预留海量空间。这直接推动服务器平均DRAM容量预期从2025年的1032GB跃升至2026年的1432GB。据Omdia和WSTS数据,2025年全球DRAM市场规模达1505亿美元,占据存储芯片市场65%的份额。
在此背景下,长鑫科技的角色至关重要。作为中国唯一具备DRAM大规模研发、设计、制造一体化能力的IDM企业,其在合肥和北京拥有3座12英寸晶圆厂。其全球市场份额从2025年第一季度的3%飙升至2026年第一季度的8%,超越南亚科技,稳居全球第四大DRAM原厂——仅次于三星、SK海力士和美光科技(MU.US)(见下图)。长鑫已深度绑定阿里云、字节跳动、腾讯(00700.HK)、联想(00992.HK)、小米(01810.HK)等核心客户。

需注意的是,在DRAM细分领域,HBM(高带宽内存)才是AI时代最关键的“硬通货”。
传统DRAM受限于总线通信带宽,而HBM采用TSV(硅通孔)技术垂直堆叠多层DRAM芯片,并通过微凸块与GPU/CPU高速互联,数据传输带宽可达传统DDR内存的数十倍。正是HBM解决了千亿参数大模型推理时的“内存墙”瓶颈。随着英伟达(NVDA.US)、AMD(AMD.US)等AI芯片算力每代翻倍,对HBM堆叠层数和带宽的需求呈指数级增长。
目前,SK海力士与美光已实现HBM3E批量供货,三星加速推进HBM4E样品交付,牢牢掌控全球高端HBM市场;长鑫科技正全力攻坚HBM3并完成国产客户送样验证,但尚未实现规模化商用,与国际巨头在堆叠工艺、良率及高端产品迭代上存在2-3年的明显代差。

尽管AI重塑了格局,但存储芯片的终极规则未变:高端吃AI红利,中端拼产能规模,低端拼价格成本。四家巨头的技术路线与战略选择,决定了各自的利润天花板。
若2026年半导体行业有“躺赢”王者,非SK海力士莫属。其不追求全面均衡,而是死磕HBM高带宽内存这一顶级赛道,直接拿捏全球AI算力命脉。
目前,海力士独占全球58%的HBM市场,是英伟达最核心的供应商,GB200、B200等顶级AI芯片超70%的HBM内存由其供给。当同行还在卷普通内存价格时,海力士已凭借“天价高端货”获利——HBM毛利率通常是普通DDR内存的3倍以上。2026年第一季度,海力士毛利率同比提升22个百分点,高达79.3%。
技术层面,SK海力士已完成业界首款1cnm LPDDR6开发,针对英伟达Vera Rubin平台优化的1cnm 192GB SOCAMM2已进入量产。HBM4从开发初期即与客户深度协同,确保按时间表量产爬坡。
短板:业务偏科严重,NAND闪存市占率仅18%,环比下跌4个百分点,基本盘全靠DRAM和HBM支撑。随着三星和美光HBM市场份额提升,一旦AI需求放缓或客户自研替代方案成熟,海力士将面临最大冲击。
如果说SK海力士是单点王者,三星则是全能霸主。它是全球唯一能同时在DRAM和NAND两大赛道登顶的企业。
据Counterpoint 2026年第一季度数据,三星DRAM市占率38%,NAND市占率29%,在手机、PC、服务器、AI算力及消费电子全场景通吃。其拥有成熟的1b制程和HBM技术,自研3D NAND堆叠工艺,实现设备、材料、晶圆制造全产业链自给自足,成本优势碾压对手。

更关键的是,三星自带手机、终端及服务器业务。若遇行业下行周期,内部产能可消化外部订单不足,完美对冲周期波动。三星已交付首批HBM4E样品以巩固领先地位,HBM4有望在2026年下半年向英伟达供货。
短板:业务结构“太杂”,家电、手机、半导体业务捆绑,导致优质存储业务利润被低毛利板块稀释,整体毛利率低于SK海力士和美光,估值长期偏低。此外,HBM进度被SK海力士压制,也是资本市场对其“AI纯度”存疑的核心原因。

美光既无海力士的AI暴利,也无三星的全能规模,却是欧美市场不可替代的存在。作为北美唯一存储IDM大厂,其核心护城河并非技术顶尖,而是供应链安全。
欧美政企、军工及国家级数据中心出于安全刚需,优先采购美光产品——这片封闭且高稳定的市场,是三星和SK海力士难以插足的专属蛋糕。
技术层面,美光稳健务实:HBM4 12层高堆叠产品的量产爬坡速度是HBM3E 12层的两倍,已实现超10亿美元HBM4营收。1γ DRAM和G9 NAND节点量产顺利,有望成为美光历史上出货量最大的节点。美光还开创了战略性客户协议(SCA),签署16项协议,其中数据中心和消费电子类为5年期,汽车类为3年期,锁定约20%的DRAM出货量和三分之一NAND出货量。
短板:产能规模偏小,无自有终端产品,完全依赖外部客户。在AI高端红利上抢不过SK海力士,在规模上追不上韩系双雄。
长鑫的处境是典型的“逆风爬坡、步步突围”。作为国内唯一实现DRAM大规模量产的IDM企业,它是四大巨头中唯一被卡EUV光刻机、被锁高端技术的玩家。
利好:中端赛道已彻底打穿。长鑫采用“跳代研发”策略,完成从第一代到第四代工艺技术平台的量产,产品覆盖DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X全系列。在海外大厂转向AI高端赛道的空档期,长鑫稳稳吃下全球通用内存增量市场——全球市占从2025年Q1的3%跃升至2026年Q1的8%,成为四巨头中唯一份额显著提升的厂商,且有传闻苹果(AAPL.US)正考虑将其加入采购名单。
短板:致命短板在于没有EUV光刻机,仅靠DUV多重曝光迭代,先进制程或存在物理天花板;HBM尚处早期,可能错过这两年最暴利的AI存储红利。
此次科创板上市募资,本质是一场“补短板攻坚战”:75亿元用于晶圆制造量产线技术升级,130亿元用于DRAM存储器技术升级,90亿元用于前瞻技术研发。砸钱升级工艺、攻坚HBM、扩建产能,从中端向高端突围,将是长鑫未来三年最关键的战役。
技术决定上限,产能布局与业务结构决定穿越周期的底气。在2026年全新存储格局下,四家巨头的产能策略反映了其抗风险能力。
截至目前,三星电子、SK海力士、美光科技的市值均已突破万亿美元(见下表)。今年以来,三大巨头股价累计涨幅分别为132.34%、236.42%和232.62%。尽管股价大涨推升估值水平,但其远期市盈率仍保持在8倍至13倍之间,不算高。

对比海外同行,即将登陆科创板的长鑫科技具备两大溢价优势:
不同于海外巨头的周期估值,长鑫的估值核心不在于短期行业景气度,而在于国产替代的长期确定性、技术追赶的落地进度以及全球市场份额的持续提升。
AI算力催生的存储行业大变局仍在持续演进,四大厂商各自的取舍与博弈远未落幕。海外巨头凭借高端技术与全球资本优势守住行业高地,长鑫借上市募资开启追赶之路。国产存储的向上突破之路,值得长期观望。
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